INTC$89.77-11.35%TSM$412.51-6.80%COST$989.11+3.43%

Intrarea în producție de masă la „clasa 2 nm” nu înseamnă același lucru pentru TSMC, Intel și Samsung, iar diferențele de execuție (randament, ritm și segmentare) pot cântări mai mult decât promisiunile de „1,4 nm”, potrivit unei analize din Tom's Hardware.

Toate cele trei mari turnătorii (fabrici care produc cipuri la comandă) au început producția de cipuri pe tehnologii din „clasa 2 nm”, însă în momente și condiții diferite: Samsung ar fi pornit în jurul mijlocului lui 2025 pe SF2 (deși există discuții că ar fi o redenumire a SF3P), Intel a urmat cu 18A în noiembrie pe linii de dezvoltare din Oregon (nu pe liniile de producție din Arizona), iar TSMC a inițiat producția de volum pe N2 în decembrie, în două fabrici din Taiwan.

TSMC: disciplină de execuție și „noduri” pe segmente, cu și fără alimentare pe spate

TSMC își împarte foaia de parcurs între tehnologii orientate spre calcul de înaltă performanță (HPC) cu rețea de alimentare pe spate (BSPDN – mutarea conexiunilor de alimentare în spatele plachetei pentru eficiență și densitate mai bune) și noduri optimizate pentru cost/densitate fără această caracteristică.

Analiza notează că TSMC a început producția de masă pe N2 (primul său nod cu tranzistori GAA „nanosheet”) simultan în două fabrici, o mișcare rară în industrie, pusă în contextul cererii generate de segmentul AI. În continuare, compania ar urma să avanseze cu N2P (variantă orientată spre performanță, cu alimentare tradițională „front-side”) și A16 (care adaugă BSPDN), ceea ce întărește strategia de a oferi opțiuni diferite în funcție de aplicație și buget.

Un punct important pentru piață: TSMC pornește de la premisa că BSPDN poate fi prea scump pentru cipurile de consum (inclusiv smartphone), dar valoros pentru procesoare de centre de date. În acest model, un nod precum A14 ar apărea ca variantă pentru smartphone în 2028 și ar reveni ulterior într-o versiune orientată spre centre de date odată cu adăugarea BSPDN în 2029.

Intel: cea mai agresivă foaie de parcurs, dar cu risc de execuție și randamente

Intel este prezentată drept compania cu cel mai ambițios traseu tehnologic, combinând tranzistori gate-all-around (GAA) de tip RibbonFET cu PowerVia (implementarea Intel pentru BSPDN) și vizând introducerea litografiei High-NA EUV în 2027–2028, înaintea rivalilor. High-NA EUV este o generație de echipamente de litografie cu apertură numerică mai mare, menită să imprime detalii mai fine, dar cu complexitate și costuri ridicate.

În același timp, analiza subliniază volatilitatea: anularea bruscă a nodului 20A la final de 2024 este un semnal de risc de execuție. Intel mizează pe 18A ca tehnologie-cheie pentru a readuce producția procesoarelor sale de consum în fabricile proprii, cu promisiunea unor marje mai bune, însă volumele actuale nu sunt semnificative, iar compania lucrează la îmbunătățirea randamentelor (procentul de cipuri „bune” pe plachetă).

Pentru următorii ani, Intel pregătește rafinări precum 18A-P (performanță și eficiență îmbunătățite) și 18A-PT (suport pentru TSV – „through-silicon vias”, conexiuni verticale prin siliciu, utile în integrarea 3D). Mai departe, 14A și 14A-E sunt țintite pentru „pregătire de producție” în 2027–2028, cu RibbonFET de generația a doua și PowerDirect (o evoluție a alimentării pe spate), plus „Turbo Cells” pentru accelerarea căilor critice de date. Analiza menționează și interesul clienților externi pentru 14A, inclusiv faptul că proiectul Terafab asociat lui Elon Musk ar urma să folosească 14A ca licențiat, nu ca client.

Samsung: „randamentul înaintea nodului”, cu ambiții la 1,4 nm

Samsung a fost prima care a adoptat tranzistori GAA (SF3E, în 2022), dar randamentele „scăzute și imprevizibile” au limitat utilizarea la aplicații de nișă, precum ASIC-uri pentru minat criptomonede, iar cele mai performante cipuri ale companiei ar fi produse încă pe noduri FinFET (SF4P și SF4X), ceea ce o lasă în urma rivalilor la vârf.

În prezent, prioritatea declarată este reducerea densității defectelor și creșterea randamentelor. Deși a început producția de SoC-uri mobile pe SF2 (numit „prima generație 2 nm GAA”), obiectivele pentru anul în curs includ accelerarea „a doua generație 2 nm” (SF2P) și pregătirea unui proces pe 4 nm optimizat pentru performanță și consum, semn că SF2 ar putea avea o adopție limitată pe termen scurt.

Pe foaia de parcurs apar și variante precum:

• SF2X (orientat spre HPC) în 2026;
• SF2A (auto) și SF2Z (SF2X cu BSPDN) în 2027.

Următorul „nod major” este SF1.4, o tehnologie „clasa 1,4 nm” optimizată pentru consum și smartphone, fără alimentare pe spate, cu așteptări de producție de masă în 2027. Analiza ridică însă o întrebare operațională cu impact direct în randamente: dacă Samsung va începe să folosească „pelicule” (pellicles) la litografia EUV începând cu SF1.4 sau mai târziu. Lipsa acestora crește riscul defectelor care pot compromite randamentul, mai ales pe noduri tot mai subțiri.

De ce contează: „2 nm” e deja aici, dar avantajul competitiv se mută la livrare și randament

Concluzia implicită a analizei este că, deși toate cele trei companii au intrat în „clasa 2 nm”, diferențele de strategie și execuție sunt decisive:

• TSMC pariază pe ritm anual și segmentare (cu/fără BSPDN), ceea ce îi consolidează profilul de furnizor „previzibil” pentru clienți mari.
• Intel împinge cel mai agresiv tehnologia (GAA + BSPDN și High-NA EUV), dar își asumă un risc mai mare de implementare; în plus, compania arată că randamentele „de clasă mondială” ar veni abia în 2027, ceea ce poate reduce atractivitatea pentru clienți foarte exigenți.
• Samsung are cea mai mare presiune pe randamente la GAA și pare să prioritizeze stabilizarea producției înaintea salturilor tehnologice, chiar dacă promite 1,4 nm în 2027.

Pentru clienți (de la smartphone la centre de date), miza imediată nu este doar „cât de mic e nodul”, ci cât de repede poate fiecare turnătorie să livreze volume mari, cu randamente stabile și costuri controlabile.