MU$1,014.95+5.44%

SK Hynix își mută rapid capacitatea DRAM pe 1c nm, o pregătire directă pentru trecerea la HBM4E, iar acest lucru ar putea influența ritmul de livrare și costurile din lanțul de aprovizionare pentru memoria folosită în acceleratoarele AI, potrivit IT Home, care citează presa sud-coreeană ChosunBiz.

Conform informațiilor publicate, procesul DRAM „1c nm” (a șasea generație din clasa 10 nm) ar urma să depășească „1b nm” și să devină principalul proces de fabricație DRAM al SK Hynix la începutul lui 2027. În proiecția pe trimestre, ponderea 1c nm în capacitatea totală de DRAM a companiei ar crește de la 10% în 2026 T1 la 35% în 2027 T1 (10%, 13%, 24%, 34%, 35%), în timp ce 1b nm ar ajunge la 33% la începutul lui 2027, moment în care cele două curbe „se intersectează”.

De ce contează: tranziția HBM4 → HBM4E depinde de 1c nm

Miza este legată de memoria HBM (High Bandwidth Memory – memorie cu lățime mare de bandă, folosită în special lângă procesoare grafice și acceleratoare pentru AI). Sursa arată că SK Hynix folosește în continuare cipuri DRAM („die”-uri) pe 1b nm în HBM4, însă pentru HBM4E ar urma să treacă la 1c nm.

În acest context, construirea din timp a unei capacități suficiente pe 1c nm ar facilita o tranziție „lină” a pieței de la HBM4 la HBM4E, reducând riscul de blocaje de producție atunci când cererea se mută către noua generație.

Context competitiv: unde sunt Samsung și Micron

În același material sunt citate estimări din industrie potrivit cărora, la finalul lui 2026 T2, ponderea capacității DRAM de a șasea generație din clasa 10 nm ar fi de 16% pentru Samsung Electronics și 19% pentru Micron.

Informațiile sunt prezentate ca estimări și proiecții ale industriei, iar calendarul exact al tranziției depinde de execuția producției și de dinamica cererii pentru HBM4E.