Samsung dezvoltă un prototip V-NAND de 900 de straturi prin tehnologia CMB - pas tehnologic spre NAND de 1.000 de straturi și capacități mai mari pentru SSD-uri

Samsung a ajuns la un prototip V-NAND de 900 de straturi , un pas tehnologic care poate crește semnificativ densitatea memoriilor flash și, implicit, capacitatea viitoarelor SSD-uri, potrivit Wccftech . Reușita vine printr-o metodă de „stivuire” care combină două structuri de 450 de straturi într-un singur dispozitiv. Ce a făcut Samsung și de ce contează pentru piața de stocare Conform publicației, Samsung a obținut primul său V-NAND de 900 de straturi folosind tehnologia CMB (Cell Multi-Bonding), care „leagă” două stive de celule de 450 de straturi într-una singură. Miza este creșterea densității: mai multe straturi înseamnă, în principiu, mai multă capacitate pe aceeași amprentă, ceea ce poate influența costurile și oferta de SSD-uri în segmentele enterprise și de consum. Wccftech notează că o astfel de creștere a densității ar putea susține extinderea capacităților pentru SSD-uri utilizate în servere, desktopuri, laptopuri și smartphone-uri. Obstacole tehnice și soluțiile invocate Pentru a ajunge la 900 de straturi, Samsung ar fi avut de depășit probleme de fabricație, în special deformarea (curbarea) waferelor, potrivit informațiilor atribuite de Wccftech publicației sud-coreene ETNews . Aceasta ar fi fost abordată printr-un „Upper Chuck Design”. Alte ajustări menționate includ reducerea erorilor de aliniere prin tehnologii de „Overlay Correction” (corecții de suprapunere/aliniere în procesul de litografie și bonding). Context competitiv: SK Hynix și YMTC accelerează În cursa pentru NAND cu tot mai multe straturi, Wccftech indică faptul că SK Hynix conduce în prezent, fiind prima companie care a dezvoltat și oferit NAND cu 321 de straturi, iar lucrările pentru 400 de straturi sunt în derulare. În paralel, YMTC (Yangtze Memory Technologies Co) ar avea deja în portofoliu NAND cu 294 și 232 de straturi și investește în noi fabrici, cu obiectivul de a-și dubla capacitatea de producție de waferi, pe fondul unui dezechilibru cerere-ofertă asociat „hiperciclului” AI (valul de investiții și consum de hardware pentru inteligență artificială). Ce urmează: prototip azi, 1.000 de straturi mai târziu Abordarea de tip „stacked NAND” pentru 900+ straturi este descrisă ca fiind încă în fază de prototip, dar cu rol de „punte” către extinderea viitoare a capacităților. Ținta pentru V-NAND de 1.000 de straturi este indicată ca vizând anul 2030, în timp ce generații de peste 400 de straturi ar urma să apară în anii următori, potrivit aceleiași surse. [...]