Samsung dezvoltă Exynos 2700 cu arhitectura SBS pentru creșterea lățimii de bandă a memoriei - Îmbunătățiri semnificative în performanță și eficiență energetică a chipului

Samsung încearcă să rezolve „gâtul de sticlă” dintre SoC și memorie pe Exynos 2700 , mutând memoria lângă cip (în loc de deasupra lui) pentru a crește lățimea de bandă și a îmbunătăți stabilitatea termică, potrivit CNMO . Publicația scrie că Exynos 2700 ar urma să introducă o arhitectură „side-by-side” (SBS, adică plasare „în paralel” a componentelor) și o structură de răcire mai bine optimizată, cu obiectivul de a crește performanța în utilizarea reală, nu doar în teste. Estimarea menționată este o creștere de aproximativ 30%–40% a lățimii de bandă a memoriei, alături de eficiență energetică mai bună și stabilitate termică îmbunătățită. De ce contează: performanța susținută depinde de memorie și temperatură, nu doar de „vârfuri” În zona procesoarelor mobile, diferența dintre un cip rapid „pe hârtie” și unul rapid în utilizare zilnică este dată frecvent de două limite: cât de repede poate fi alimentat cu date (lățimea de bandă a memoriei) și cât de bine își menține frecvențele fără să se încălzească excesiv (stabilitatea termică). Mutarea memoriei lângă SoC și scurtarea interconectărilor urmăresc exact aceste două puncte. Ce se schimbă în designul Exynos 2700: SBS + ambalare la nivel de plachetă CNMO descrie actualul Exynos 2600 ca având o structură de tip „sandwich”: memoria este stivuită deasupra SoC, iar peste memorie există o structură de disipare a căldurii pe bază de cupru (HPB). Designul ajută la disiparea căldurii, dar poate permite acumularea de temperatură între SoC și memorie. Pentru Exynos 2700, planul ar fi: FOWLP (Fan-Out Wafer-Level Packaging) – un tip de ambalare/încapsulare la nivel de plachetă, folosit pentru integrare mai eficientă; plasarea memoriei și a SoC „side-by-side” (SBS) , adică alăturat, nu suprapus; HPB ar urma să poată acoperi atât SoC, cât și memoria, pentru o stabilitate termică mai bună . Efectul operațional urmărit: distanțe mai mici de interconectare , ceea ce ar crește lățimea de bandă a memoriei și ar reduce penalizările de performanță cauzate de temperatură. Proces de fabricație: SF2P, pasul următor după 2 nm GAA Materialul mai notează că Exynos 2700 ar urma să folosească procesul Samsung SF2P , descris ca generația următoare față de procesul 2 nm GAA utilizat la Exynos 2600. GAA (Gate-All-Around) este o arhitectură de tranzistori 3D care îmbunătățește controlul electrostatic și poate reduce pragurile de tensiune. Comparativ cu nodul anterior SF2, SF2P ar putea aduce, conform estimărilor citate: ~12% creștere de performanță ; ~25% reducere a consumului total de energie . Context: comparația cu Qualcomm rămâne centrată pe termică În același material se menționează că Exynos 2600 ar sta deja mai bine la capitolul stabilitate termică decât Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5, iar ajustările de arhitectură și răcire de pe Exynos 2700 ar putea mări acest avantaj. CNMO nu oferă însă date de test sau un calendar de lansare, astfel că informațiile rămân la nivel de planuri și estimări. [...]