Samsung Electronics susține că a realizat un tranzistor logic 3D stivuit cu pas de poartă de 42 nm - tehnologia ar putea crește densitatea și performanța cipurilor pentru AI și HPC

Samsung a coborât distanța dintre porți la 42 nm într-un tranzistor 3D stivuit vertical , un pas care ar putea împinge mai departe miniaturizarea și densitatea în cipurile logice, într-un moment în care arhitecturile „pe plan” se apropie de limitele fizice, potrivit CNMO . Compania spune că cercetătorii din centrul său de cercetare pentru semiconductori au realizat „în premieră globală” o structură de tranzistor 3D stivuit, cu un „gate pitch” (distanța dintre porțile tranzistorilor) de 42 nanometri. Lucrarea a fost selectată drept „cea mai bună lucrare” la ediția 2026 a simpozionului VLSI, programat la Kyoto, Japonia. De ce contează: logica încearcă să preia modelul de scalare din memorie Miza anunțului este extinderea conceptului de stivuire verticală – folosit deja în memoria NAND și DRAM – către semiconductori logici (cei folosiți în procesoare și acceleratoare). Samsung amintește că: în NAND, V-NAND a fost folosit pentru a depăși limitările de capacitate; în DRAM, HBM (memorie cu lățime mare de bandă) a crescut performanța prin stivuirea mai multor cipuri, relevantă în special pentru aplicații de inteligență artificială. În logica tradițională, integrarea a fost crescută prin așezarea tranzistorilor „în plan”, unul lângă altul. Pe măsură ce distanțele scad, devine tot mai dificil de controlat interferențele electrice, iar miniaturizarea se lovește de praguri tehnologice. Ce a realizat Samsung: sub minimul actual din industrie și o conexiune directă între straturi Echipa Samsung afirmă că a atins 42 nm, sub „minimul de 48 nm” menționat ca reper în industrie. În plus, a introdus o structură care „conectează direct” tranzistorii de sus și de jos, pentru a crește și mai mult densitatea. Unul dintre cercetătorii citați explică limitarea abordării clasice: când distanțele se micșorează, izolatorul se subțiază, iar sub un anumit nivel efectul de izolare dispare. Ridicarea structurii pe verticală ar elimina constrângerea orizontală, analog cu trecerea de la case individuale înghesuite la clădiri cu mai multe etaje. Impact potențial: AI și calcul de înaltă performanță, dar încă la nivel de cercetare Cercetătorii estimează că tehnologia ar putea întări competitivitatea în zona de inteligență artificială și calcul de înaltă performanță, prin posibilitatea de a integra mai mulți tranzistori pe aceeași suprafață, cu beneficii urmărite de clienți precum arie mai mică, consum mai redus și performanță mai mare. Samsung precizează că va continua cercetarea pentru aplicarea în produse comerciale, comparând stadiul actual cu „fabricarea cărămizilor”, urmând ca etapa următoare să fie „construcția casei” – adică dezvoltarea către utilizare practică. Momentul și forma unei eventuale comercializări nu sunt detaliate în material. [...]