Tehnologie17 iun. 2026
Samsung Electronics prezintă un MRAM pe 5 nm și țintește producția de masă în 2027 - memorie non-volatilă cu interval de operare -40 până la +150°C, orientată spre cerințe auto AEC-Q100
Samsung mizează pe MRAM la 5 nm ca alternativă mai eficientă energetic la DRAM, cu țintă de producție în 2027 , după ce a prezentat rezultatele de cercetare pentru „primul MRAM de 5 nm din lume” la un eveniment IEEE, potrivit IT之家 . Pentru industrie, miza este accelerarea adoptării memoriilor nevolatile (care păstrează datele fără alimentare) în aplicații unde consumul și fiabilitatea contează, inclusiv auto. Ce a prezentat Samsung și de ce contează Conform publicației, Samsung Electronics a arătat la workshop-ul IEEE VLSI 2026 rezultatele de dezvoltare pentru MRAM (Magnetic Random Access Memory – memorie magnetică cu acces aleator), pe un nod de fabricație de 5 nm. Față de DRAM, MRAM are avantajul că este nevolatilă , deci nu necesită „refresh” (reîmprospătare periodică a datelor), ceea ce poate aduce un câștig de eficiență energetică. Parametri tehnici și orientarea spre piața auto Samsung ar fi indicat pentru MRAM-ul de 5 nm un interval larg de temperatură de funcționare, de la -40°C la +150°C , și faptul că soluția poate îndeplini cerințele AEC‑Q100 (standard de calificare pentru circuite integrate utilizate în industria auto). În termeni practici, această poziționare sugerează o direcție către utilizări unde robustețea la temperaturi extreme este critică. Calendar: țintă de producție în masă în 2027 Materialul menționează că Samsung înaintează „constant” către obiectivul stabilit de producție în masă în 2027 . Nu sunt oferite detalii despre volume, clienți sau aplicații comerciale concrete, astfel că rămâne de văzut când și în ce produse va ajunge efectiv această tehnologie. Context: pași anteriori pe MRAM la 8 nm IT之家 mai notează că Samsung a prezentat anterior și un MRAM la 8 nm , iar un cip de „edge AI” (inteligență artificială la marginea rețelei, adică procesare locală pe dispozitiv) bazat pe MRAM de 8 nm a finalizat etapa de „tape-out” (finalizarea designului pentru fabricație) în luna mai, conform unui articol anterior al publicației: IT之家 . [...]