Samsung extinde capacitatea de producție de cipuri pe 2 nm la fabrica din Taylor, Texas - comandă echipamente pentru încă 6.000 de plăci/lună și țintește 20.000 în S2 2027

Samsung își accelerează planul de producție 2 nm în SUA , după ce a comandat echipamente care ar adăuga încă 6.000 de plăci (wafere) pe lună la fabrica din Taylor, Texas, potrivit Wccftech . Miza este creșterea capacității până la 20.000 de plăci pe lună în a doua jumătate a lui 2027, ceea ce ar întări capacitatea de producție avansată a companiei pe piața americană. Fabrica Taylor 1 este parte din strategia Samsung de a extinde producția de cipuri în SUA și este așteptată să devină operațională până la finalul acestui an, conform materialului. Unitatea ar urma să folosească echipamente de litografie cu ultraviolete extreme (EUV) , tehnologie necesară pentru nodurile de fabricație de ultimă generație, și să producă cipuri pe 2 nanometri. Ce se schimbă operațional la Taylor, Texas Wccftech scrie, citând un raport ZDNet Korea, că Samsung a plasat o comandă de echipamente care ar permite o capacitate de 6.000 de plăci pe lună pentru producția pe 2 nm la Taylor. Această comandă se adaugă unor achiziții anterioare care vizau o capacitate de 10.000 de plăci pe lună. În plus, sursa menționează că, odată luată în calcul și capacitatea de producție pilot, amplasamentul din Taylor ar putea ajunge la capacitatea maximă de 20.000 de plăci pe lună în a doua jumătate a anului 2027. Context: competiția pe 2 nm și diferențele tehnologice Cipurile pe 2 nm sunt descrise ca tehnologie „de vârf” în industrie, iar Samsung, TSMC și Intel produc deja cipuri la acest nivel, cu TSMC lider de piață ca pondere, potrivit articolului. Materialul mai arată că atât Samsung, cât și TSMC se bazează pe o arhitectură de tranzistori de tip „gate-all-around” (GAAFET), însă Samsung își denumește implementarea Multi-Bridge Channel FET (MBCFET), care folosește „nanosheets” (foi nanometrice) pentru canal, în loc de „nanowires” (nanofire). [...]