Samsung pregătește producția de masă pentru DRAM 1d în a doua parte din 2027 - tehnologia ar putea intra în viitoarele memorii HBM5E pentru acceleratoare AI

Samsung își propune producția de masă pentru 1d DRAM la final de 2027, o miză directă pentru viitoarea memorie HBM5 destinată cipurilor AI , potrivit Wccftech . Calendarul indicat de surse din industrie sugerează o accelerare a planurilor de fabricație într-un moment în care cererea de memorie cu lățime mare de bandă (HBM) devine un factor critic în lanțul global de semiconductori. Ce urmărește Samsung și de ce contează pentru HBM Publicația notează că Samsung se pregătește pentru următoarea generație de DRAM, denumită „1d”, descrisă ca fiind cea mai nouă tehnologie din industrie și echivalentă cu nodul „1-delta” al Micron . În prezent, compania ar discuta planurile de echipamente cu partenerii de producție, ca parte a pregătirilor pentru a începe producția de masă „cel mai devreme” spre finalul lui 2027. Miza este legată de evoluția HBM, memoria obținută prin stivuirea mai multor cipuri DRAM, folosită în acceleratoarele pentru inteligență artificială. În acest context, sursele citate de publicație consideră că 1d ar putea ajunge să fie integrată în generația următoare de cipuri HBM, menționată ca HBM5E. Calendarul: echipamente în 2027, producție în a doua parte a anului Conform surselor din industrie citate de ZDNet Korea (menționată de Wccftech), Samsung ar urmări să introducă echipamentele de fabricație pentru 1d DRAM în fabrici „încă din trimestrul al doilea din 2027”. Dacă acest calendar este respectat, mașinile ar putea produce cipurile avansate în a doua jumătate a lui 2027, iar producția de masă ar putea începe spre finalul anului. Aceleași surse mai indică faptul că Samsung ar urma să își „concretizeze” planurile de producție de masă până la finalul lui 2026, ceea ce sugerează că deciziile de investiții și configurare a liniilor ar trebui închise relativ curând pentru a susține termenul din 2027. Schimbarea tehnologică: de la celule „orizontale” la stivuire verticală Wccftech descrie 1d DRAM drept o schimbare de arhitectură față de generațiile anterioare, prin adoptarea stivuirii verticale a condensatorilor. Spre deosebire de abordările precedente, unde celulele de memorie erau așezate „una lângă alta”, noua generație ar introduce un nivel suplimentar de complexitate: folosirea unui wafer separat pentru circuitele periferice și integrarea lui cu waferul care conține circuitele celulelor de memorie. În paralel, articolul amintește că cele mai recente cipuri DRAM ale Samsung sunt fabricate pe tehnologia 1c, descrisă ca vârf de gamă pentru cipuri de memorie realizate în format „orizontal”, cu utilizare extinsă a litografiei EUV (ultraviolete extreme) și a porților metalice, pentru a valorifica experiența companiei în fabricația de logică. Context: AI împinge cererea de HBM, iar DRAM devine un punct-cheie în lanțul de aprovizionare Publicația subliniază că importanța memoriei în lanțul global de semiconductori a crescut în „era AI”, deoarece cipurile pentru inteligență artificială au nevoie de HBM cu performanțe ridicate. În acest cadru, articolul notează că memoria 1c este folosită în HBM4, iar trecerea la 1d este văzută de sursele din industrie ca un posibil pas către HBM5E. Informațiile rămân, totuși, la nivel de planuri și estimări bazate pe surse din industrie: termenele depind de capacitatea Samsung de a respecta un calendar descris drept „agresiv” și de finalizarea planurilor operaționale până la sfârșitul lui 2026. [...]